IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ

IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ (MT47H64M8SH-25E AAT:H)

Part Number: MT47H64M8SH-25E AAT:H

Documents / Media: datasheets MT47H64M8SH-25E AAT:H

Технические характеристики:

  • Упаковка: -
  • Серия: -
  • Состояние детали: Active
  • Тип памяти: Volatile
  • Тип памяти: DRAM
  • Технология: SDRAM - DDR2
  • Объем памяти: 512Mb (64M x 8)
  • Скорость: 400MHz
  • Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
  • Время доступа: 400ps
  • Memory Interface: Parallel
  • Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.9 V
  • Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Вид монтажа: -
  • Корпус: -
  • Исполнение корпуса: -

Цена по запросу